[发明专利]反熔丝有效
| 申请号： | 201380036999.9 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104508818B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | F·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L23/525;H01L27/12;G11C17/16;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体结构(1000A)，该半导体结构(1000A)包括：第一半导体层(1140)；实现第一反熔丝单元(1000A)的第一编程晶体管(5200)和第一选择晶体管(1300)，其中，所述第一半导体层作为所述第一编程晶体管的主体(1301)和所述第一选择晶体管的主体(1301)；其中，所述第一编程晶体管的栅极(5210)和所述第一选择晶体管的栅极(1160，1161)在所述第一半导体层的不同面上。 | ||
| 搜索关键词： | 编程晶体管 选择晶体管 半导体层 半导体结构 反熔丝单元 反熔丝 | ||
【主权项】：
一种半导体结构(1000‑4000)，该半导体结构(1000‑4000)包括：第一半导体层(1140，1140B)；以及第一编程晶体管(5200，1200B)和第一选择晶体管(1300)，所述第一编程晶体管(5200，1200B)和第一选择晶体管(1300)实现第一反熔丝单元(1000A，1000B)，其中所述第一半导体层作为所述第一编程晶体管的主体(1301)并作为所述第一选择晶体管的的主体(1301)；其特征在于所述第一编程晶体管的栅极(5210，1210B)和所述第一选择晶体管的栅极(1160，1161)在所述第一半导体层的不同面上，并且所述第一选择晶体管的栅极(1160，1161)的覆盖面积大于所述第一编程晶体管的栅极(5210，1210B)的覆盖面积以与所述第一编程晶体管的栅极(5210，1210B)交叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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