[发明专利]用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法有效
| 申请号： | 201380037110.9 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104471015B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | W.沃德 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种酸性含水抛光组合物，其适用于在化学机械抛光(CMP)过程中抛光含有氮化硅的基材。该组合物在使用点处优选包含0.01至2重量％的至少一种粒状二氧化铈研磨剂、10至1000ppm的至少一种非聚合物型的不饱和氮杂环化合物、0至1000ppm的至少一种阳离子型聚合物、任选地0至2000ppm的至少一种聚氧化烯聚合物、以及为此的含水载体。该阳离子型聚合物优选选自聚(乙烯基吡啶)聚合物、经季铵取代的丙烯酸酯聚合物、经季铵取代的甲基丙烯酸酯聚合物、或其组合。还提供了使用该组合物的抛光基材的方法以及从基材优先于多晶硅的移除而选择性地移除氮化硅的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化 材料 选择性 抛光 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.化学机械抛光(CMP)组合物用于从基材的表面优先于多晶硅的移除而选择性地移除氮化硅的的用途，包括以下步骤：(a)将含有氮化硅及多晶硅的基材的表面与抛光垫及酸性含水CMP组合物接触；以及(b)在保持该CMP组合物的一部分与该抛光垫和该基材之间的表面接触的同时使该抛光垫和该基材之间相对运动一段足以从该表面磨除氮化硅的时间；其中该CMP组合物包含：(i)0.01至2重量％的至少一种粒状二氧化铈研磨剂；(ii)10至1000ppm的至少一种非聚合物型的不饱和氮杂环化合物；(iii)10至1000ppm的至少一种阳离子型聚合物；(iv)200至2000ppm的聚氧化烯聚合物，其中该聚氧化烯聚合物包含聚(乙二醇)‑共‑聚(丙二醇)嵌段共聚物和聚(乙二醇)；以及(v)为此的含水载体，其中，该组合物的pH值为2.3至4。
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