[发明专利]半导体处理系统中的高采样率传感器缓冲有效
申请号: | 201380037597.0 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN104488073B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 西蒙·亚沃伯格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施方式针对半导体处理系统中以高采样率缓冲来自各种传感器的数据的系统及/或方法。此类采样可提供关于诊断系统中导致处理故障的条件的处理的较佳数据。 | ||
搜索关键词: | 半导体 处理 系统 中的 采样率 传感器 缓冲 | ||
【主权项】:
一种半导体处理系统,所述系统包含:多个传感器,所述多个传感器测量所述半导体处理系统的物理条件;缓冲器,所述缓冲器与所述多个传感器的至少一分组电气地耦接以在第一采样率储存传感器数据;长期储存装置,所述长期储存装置与所述缓冲器电气地耦接以储存在所述缓冲器处储存的数据,且其中所述长期储存装置具有比所述缓冲器的所述第一采样率更小的第二采样率;以及控制器,所述控制器电气地耦接至所述缓冲器和所述长期储存装置,其中所述控制器经配置使在所述缓冲器处储存的所述传感器数据以比所述第一采样率更小的所述第二采样率储存至所述长期储存装置中;以及所述控制器经配置以响应于故障事件自动地将储存于所述长期储存装置内的数据输出至用户。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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