[发明专利]太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池模块有效
申请号: | 201380038129.5 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN104508831B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;足立修一郎;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池元件,其具有具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板;配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域;配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域;配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极;配置于上述背面上的背面电极;和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 制造 方法 以及 模块 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池元件,其具有:具有受光面及与所述受光面相反侧的背面的半导体基板;配置于所述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域;配置于所述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域;配置于所述第1杂质扩散区域的至少一部分的受光面电极;配置于所述背面上的背面电极;和配置于所述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层,所述钝化层为钝化层形成用组合物的热处理物,所述钝化层形成用组合物包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3、HfO2及下述通式(I)所示的化合物中的1种以上,且至少包含下述通式(I)所示的化合物,M(OR1)m (I)式(I)中,M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素,R1分别独立地表示碳数1~8的烷基或碳数6~14的芳基,m表示1~5的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的