[发明专利]减少应力的TSV和插入结构

摘要

部件10可包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40。衬底20可具有第一和第二相对表面21、22。可在开口30的内壁32处露出介电材料60。导电通孔40可与第一表面21相邻地在开口30内限定释放沟道55。释放沟道55可在平行于第一表面21的平面P的方向D2上和所述第一表面21下方的5微米内与内壁32相距第一距离D1的边缘56，第一距离小于1微米和平面中的开口30的最大宽度的5％。边缘56可沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少5％。

主权项

一种具有减少应力的硅通孔(TSV)和插入结构的部件，所述部件包括：衬底，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及从所述第一表面朝向所述第二表面延伸的开口，所述开口具有延伸远离所述第一表面的内壁，在所述内壁处露出介电材料；以及导电过孔，在所述开口内延伸并在所述开口内与所述第一表面相邻地限定释放沟道，所述释放沟道在所述第一表面下方5微米以内且与所述第一表面平行的平面的方向上具有与所述内壁相距第一距离以内的边缘，所述第一距离小于1微米且小于所述平面中所述开口的最大宽度的5％，所述边缘沿着所述内壁延伸以跨越所述内壁的圆周的至少5％。