[发明专利]抗静电性剥离薄膜有效
| 申请号： | 201380039382.2 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104507671B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 长岛稔 | 申请（专利权）人： | 迪睿合电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B27/00;C09J7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李志强,刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基底薄膜的至少一面形成抗静电层、在该抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成的抗静电性剥离薄膜的该抗静电层含有成分(a)使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物、成分(b)水溶性成膜用树脂和成分(c)抗静电剂。硅酸烷基酯具有式(1)的结构，偶联剂具有式(2)的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 剥离 薄膜 | ||
【主权项】：
抗静电性剥离薄膜，所述抗静电性剥离薄膜是在基底薄膜的一面形成抗静电层、在所述抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成，其中，所述抗静电层含有以下成分(a)~(c)：(a) 使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物，(b) 水溶性成膜用树脂，和(c) 抗静电剂。
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