[发明专利]晶片级封装的红外焦平面阵列的抗反射涂敷盖晶片中的应力减缓方法有效
申请号: | 201380040085.X | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN104507852A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 罗兰德·W·古奇;布欧·Q·迪普;斯蒂芬·H·布莱克;托马斯·A·科西安;亚当·M·肯尼迪 | 申请(专利权)人: | 雷神公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人: | 黄小临;冯玉清 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供减少由盖晶片的抗反射涂层引起的晶片弯曲的方法。所述方法可以利用其中具有至少一个开口部的遮蔽掩模,所述开口部定位得对着所述盖晶片中的凹陷区域。所述方法还可以包括通过所述遮蔽掩模将至少一层抗反射涂层材料沉积到盖晶片的平面侧,以便在所述平面侧上提供非连续涂层。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 红外 平面 阵列 反射 涂敷盖 中的 应力 减缓 方法 | ||
【主权项】:
一种减少盖晶片上的抗反射涂层引起的晶片弯曲的方法,所述方法包括:提供具有平面侧和相对的腔体侧的盖晶片,所述腔体侧包括至少一个凹陷区域和在所述至少一个凹陷区域任一侧的分隔区域;将其中具有至少一个开口部的第一遮蔽掩模设置在所述盖晶片的平面侧上方;对准所述第一遮蔽掩模,使得所述至少一个开口部定位得对着所述至少一个凹陷区域;以及通过所述第一遮蔽掩模将至少一层抗反射涂层材料沉积到所述盖晶片的平面侧上,以便在所述平面侧上提供非连续涂层。
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