[发明专利]切割片及装置晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201380040183.3 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104508801B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 中西勇人;西田卓生 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J4/00;C09J7/02;C09J133/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 谢顺星,张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供，切割片1，其为即使装置相关部件的表面，特别是装置相关非平坦面部件的非平坦面为被着面的情形，亦可具有优良的粘着性的粘着剂层，且不容易发生基于粘着剂团聚物的异常的切割片，其包括基材2；及粘着剂层3，其为层积于所述基材2的至少一个面的切割片1，粘着剂层3，为由含有丙烯酸类聚合物(A)及能量线聚合性化合物(B)的粘着剂组合物所形成者，所述粘着剂层的厚度为25μm以下，在于所述粘着剂层在于能量线照射之前的23℃的储存弹性模数为0.12MPa以下，且将所述粘着剂层3的根据JIS Z02372009进行的能量线照射前的保持力的测定试验所测定的保持时间为15000秒以上，亦提供使用该切割片1的装置晶片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 切割片及装置晶片的制造方法 | ||
【主权项】：
一种切割片，其包括基材及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层，其由含有丙烯酸类聚合物(A)及能量线聚合性化合物(B)的粘着剂组合物所形成，所述能量线聚合性化合物(B)的至少一部分具有作为储存弹性模数调整剂(C)的性质，所述粘着剂层的厚度为25μm以下，所述粘着剂层在能量线照射之前的23℃的储存弹性模数为0.12MPa以下，且粘着剂层的根据JIS Z0237：2009进行的能量线照射前的保持力的测定试验所测定的保持时间为15000秒以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
