[发明专利]半导体装置

摘要

提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底；所述衬底上的栅电极和电容线；所述衬底、所述栅电极和所述电容线上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；所述第三绝缘膜上的透光像素电极；晶体管，包括：所述栅电极；所述栅电极上的所述第一绝缘膜；以及所述第一绝缘膜上且重叠于所述栅电极的半导体膜，该半导体膜电连接于所述像素电极；以及电容器，包括：所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的能够导电的透光膜；所述第一电容电极上的用作电容器的介电膜的所述第三绝缘膜；以及所述电容器的介电膜上的用作第二电容电极的所述像素电极，其中所述第一、第二和第三绝缘膜与所述半导体膜重叠，包含所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜的叠层夹在所述电容线和所述像素电极之间，且在与所述第一和所述第二电容电极完全重叠的区域中不提供所述第二绝缘膜，且所述第三绝缘膜在所述第一电容电极上并与所述第一电容电极直接接触。