[发明专利]基板加热装置及处理腔室在审
| 申请号： | 201380041765.3 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104620354A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 尹松根;李种华;高赫俊;李障赫 | 申请（专利权）人： | 新意技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及具有基板加热装置的处理腔室，本发明实施形态的基板加热装置，根据处理腔室的加热装置，包括：第一加热体，其在所述晶舟下部产生热来加热基板，其中处理腔室，包括：晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，所述晶舟位于其内部空间，通过内部侧壁将工序气体流到在晶舟间隔层叠的基板之间。还有，所述晶舟，上部面板；下部面板；多个支撑杆，其连接所述上部面板与下部面板；多个基板安装槽，其形成在所述支撑杆的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 处理 | ||
【主权项】：
一种基板加热装置，具备处理腔室，包括：晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，所述晶舟位于其内部空间，通过内部侧壁的喷射孔将工序气体流到在晶舟间隔层叠的基板之间，其特征在于，包括：第一加热体，其在所述晶舟下部产生热来加热基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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