[发明专利]使用与有机硅流体接触的至少一个膜分离气体的方法有效
| 申请号： | 201380041792.0 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104661726B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | D·安;亚历山德拉·N·利克特;詹姆斯·S·赫拉巴尔;亚伦·J·格雷纳 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | B01D53/14 | 分类号： | B01D53/14;B01D53/22;B01D53/26;B01D53/62 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及从混合物中移除气体的方法。所述方法包括将硅酮膜与包含至少第一气体组分的进料混合物接触并将所述膜的第二侧与有机硅扫描液体接触，从而产生贫乏所述第一气体组分的渗余混合物和富含所述第一气体组分的有机硅扫描液体。本发明还提供从液体中移除气体的方法，以及再生和循环利用有机硅扫描液体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 有机硅 流体 接触 至少 一个 分离 气体 方法 | ||
【主权项】：
一种从混合物中移除气体的方法，所述方法包括：将第一致密硅酮膜的第一侧与进料混合物接触，其中所述第一致密硅酮膜为自支撑膜，所述进料混合物包含第一气体组分，且包含第二气体组分和第一液体组分中的至少一种；以及将所述膜的第二侧与包含有机硅流体的扫描液体接触，以在所述膜的所述第二侧上产生渗透混合物并在所述膜的所述第一侧上产生渗余混合物，其中所述有机硅流体为有机聚硅氧烷，其中所述渗透混合物富含所述第一气体组分，而所述渗余混合物贫乏所述第一气体组分。
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