[发明专利]晶片的处理方法有效
申请号: | 201380042206.4 | 申请日: | 2013-08-06 |
公开(公告)号: | CN104520974A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 麻生隆浩;利根川亨;上田洸造;薮口博秀 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C09J5/00;C09J11/06;C09J157/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于,提供一种晶片的处理方法,其是在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法,所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序,但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力,并且,能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。本发明为一种晶片的处理方法,其具有:支承板固定工序,其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序,其中,所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分;胶粘剂固化工序,其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序;晶片处理工序,其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序;和支承板剥离工序,其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。 | ||
搜索关键词: | 晶片 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的处理方法,其特征在于,具有:支承板固定工序,其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序,其中,所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的胶粘剂成分;胶粘剂固化工序,其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序;晶片处理工序,其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序;和支承板剥离工序,其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积水化学工业株式会社;,未经积水化学工业株式会社;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380042206.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:碳化硅半导体器件及其制造方法
- 下一篇:用于X射线管的冷却的固定阳极
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造