[发明专利]光电子半导体构件、转换介质小板和用于制造转换介质小板的方法有效
| 申请号： | 201380042300.X | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104521015B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 阿莱斯·马尔基坦;克里斯蒂安·盖特纳;汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔;约恩·斯托;赫贝特·布伦纳;托马斯·施勒雷特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在至少一个实施方式中，半导体构件(1)包括半导体芯片(3)。此外，半导体构件(1)包括转换介质小板(4)，所述转换介质小板安置在半导体芯片(3)的辐射主侧(30)上并且构建成用于将初级辐射转换成次级辐射。转换介质小板(4)具有基体材料(42)和嵌入其中的转换介质颗粒(43)。此外，转换介质小板(4)包括转换层(41a)。在至少一个转换层(41a)中存在转换介质颗粒(43)。转换介质颗粒(43)单独地或者与可选存在的扩散介质颗粒(45)一起共计占转换层(41a)的至少50％的体积份额。此外，转换介质小板(4)包括结合层(41c)，在所述结合层中存在最高2.5％体积份额的转换介质颗粒(43)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 构件 转换 介质 小板 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体构件(1)，具有：‑至少一个光电子半导体芯片(3)，以用于产生初级辐射；和‑转换介质小板(4)，所述转换介质小板安置在所述半导体芯片(3)的辐射主侧(30)上并且所述转换介质小板构建成用于将所述初级辐射至少部分地转换成次级辐射，其中‑所述转换介质小板(4)包括基体材料(42)和嵌入其中的转换介质颗粒(43)，‑所述转换介质小板(4)具有第一转换层(41a)，所述第一转换层距所述半导体芯片(3)最近，其中在所述第一转换层(41a)中的转换介质颗粒(43)单独地或者与可选的扩散介质颗粒(45)一起以至少50％的体积份额存在，‑所述转换介质小板(4)包括结合层(41c)，所述结合层距所述半导体芯片(3)最远，并且在所述结合层中的转换介质颗粒(43)具有最高2.5％的体积份额，‑所述转换介质小板(4)具有设置在所述第一转换层和所述结合层之间的另一转换层(41b)，‑所述第一转换层(41a)包括用于产生较长波长辐射的第一转换介质颗粒(43a)，‑所述另一转换层(41b)包括用于产生较短波长辐射的第二转换介质颗粒(43b)，‑所述第一转换介质颗粒(43a)具有比所述第二转换介质颗粒(43b)更小的平均直径，并且‑所述第一转换层(41a)具有比所述另一转换层(41b)更高的转换介质颗粒浓度。
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