[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201380042640.2 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104541376A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 增田健良;斋藤雄;林秀树;日吉透;和田圭司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 栅绝缘膜(201)设置在沟槽(TR)上。栅绝缘膜(201)具有沟槽绝缘膜(201A)和底部绝缘膜(201B)。沟槽绝缘膜(201A)覆盖侧壁(SW)和底部(BT)中的每个。底部绝缘膜(201B)设置在底部(BT)上，使沟槽绝缘膜(201A)夹在其间。底部绝缘膜(201B)的碳原子浓度低于沟槽绝缘膜(201A)的碳原子浓度。栅电极(202)接触沟槽绝缘膜(201A)在侧壁(SW)上的一部分。因此，可实现低阈值电压和大击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，所述碳化硅半导体器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括具有第一导电类型的第一层、设置在所述第一层上并且具有第二导电类型的第二层、以及通过所述第二层来与所述第一层分开地被设置在所述第二层上并且具有所述第一导电类型的第三层，所述碳化硅衬底被设置有沟槽，所述沟槽具有侧壁和底部，所述侧壁延伸通过所述第三层和所述第二层并且到达所述第一层，所述底部由所述第一层形成；栅绝缘膜，所述栅绝缘膜设置在所述沟槽上，所述栅绝缘膜包括沟槽绝缘膜和底部绝缘膜，所述沟槽绝缘膜覆盖所述侧壁和所述底部中的每个，以使所述沟槽绝缘膜被夹在所述底部绝缘膜与所述底部之间的方式来将所述底部绝缘膜设置在所述底部上，所述底部绝缘膜具有比所述沟槽绝缘膜的碳原子浓度低的碳原子浓度；以及栅电极，所述栅电极设置在所述沟槽中，所述栅电极与所述沟槽绝缘膜在所述侧壁上的部分相接触。
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