[发明专利]自旋极化晶体管元件有效
| 申请号： | 201380042691.5 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104603951B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 广畑贵文 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构;约克大学 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明具备源极部，由在第1方向被磁化的强磁性体构成；漏极部，与源极部分离地并列设置且由在第1方向被磁化的强磁性体构成；通道部，配置于源极部与漏极部之间，且直接或经由隧道层接合于源极部及漏极部；及圆偏振光照射部，将用于控制通道部的自旋方向的圆偏振光朝通道部照射。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 极化 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
一种自旋极化晶体管元件，具备：源极部，由在第1方向被磁化的强磁性体构成；漏极部，与所述源极部分离地并列设置且由在所述第1方向被磁化的强磁性体构成；通道部，配置于所述源极部与所述漏极部之间，且直接或经由隧道层接合于所述源极部及所述漏极部；及圆偏振光照射部，朝所述通道部照射用于控制所述通道部的自旋方向的圆偏振光，所述源极部及所述漏极部的厚度为超过所述圆偏振光的进入长度的厚度。
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