[发明专利]用于金属化半导体元件背面的基于激光的方法和加工台有效
| 申请号： | 201380043573.6 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104584230B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | H·豪泽;J·内卡尔达;R·普罗伊;B·布拉西 | 申请（专利权）人： | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/056;H01L31/18;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 归莹,张颖玲 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及将半导体元件的背面金属化的方法，该半导体元件是光伏太阳能电池的一部分或在光伏太阳能电池制造工艺中的前体，包括以下方法步骤A、将至少一个至少单层的金属箔膜施加到半导体元件背面；B、局部加热至少金属箔膜，从而在局部区域暂时实现金属箔膜熔化。重要的是，在金属箔膜和半导体元件背面之间至少在局部形成空隙，该空隙填充有填料，该填料具有小于1.4的光学折射率。本发明还涉及尤其采用这种方法而制造的太阳能电池以及用于执行这种方法的加工台。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属化 半导体 元件 背面 基于 激光 方法 加工 | ||
【主权项】：
一种将半导体元件(1)的背面(5)金属化的方法，该半导体元件(1)是光伏太阳能电池的一部分或者是在光伏太阳能电池的制造工艺中的前体，该方法包括以下方法步骤：A、将至少一个至少单层的金属箔膜(7)施加到该半导体元件(1)的背面(5)；B、按如下方式局部加热至少该金属箔膜(7)，即在局部区域短时间地实现该金属箔膜(7)的熔化，其特征是，在该金属箔膜(7)和该半导体元件(1)的背面(5)之间至少在局部形成空隙(8)，该空隙(8)填充有填料，该填料具有小于1.4的光学折射率n，采用气体或胶作为填料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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