[发明专利]具有改良的辐射耐受性的集成电路有效
| 申请号： | 201380043621.1 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104584215B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 麦克·J·哈特;詹姆士·卡普 | 申请（专利权）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G11C5/00;G11C11/412;H01L21/8238;H03K19/003;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 美国加州圣*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明说明一种具有改良的辐射耐受性的集成电路。该集成电路包括：一基板(102)；一n井(108)，其被形成在该基板上；一p井(106)，其被形成在该基板上；以及一p分接区(202)，其被形成在该p井中相邻于该n井，其中，该p分接区于被形成在该n井中的电路组件和被形成在该p井中的电路组件之间延伸并且被耦合至一接地电位。本发明还说明一种用于形成具有改良的辐射耐受性的集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射耐受性 集成电路 基板 电路组件 改良 分接 接地电位 耦合 延伸 | ||
【主权项】：
一种具有改良的辐射耐受性的集成电路，该集成电路包括：一基板；一n井，其被形成在该基板上；一p井，其被形成在该基板上且沿着该n井延伸，其中，该集成电路包括多个内存胞，并且该多个内存胞具有在该p井中的n通道晶体管和在该n井中的p通道晶体管且沿着该p井和该n井于一行之中延伸；以及一p分接区，其被形成在该p井中相邻于该n井，其中，该p分接区沿着该行的该多个内存胞而在被形成在该n井中的该p通道晶体管和被形成在该p井中的该n通道晶体管之间延伸并且被耦合至一接地电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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