[发明专利]锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法有效
| 申请号： | 201380043627.9 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104619644A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李太熙;李源镐;权炳宽 | 申请（专利权）人： | 奥瑟亚新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/00 | 分类号： | C01G17/00;C01B6/00;B01J19/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;韩明花 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。本发明尤其涉及一种如下的锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法：其在制备单锗烷气体时，利用包含微结构通道的制造装置而在短时间内混合反应物质，并除去所产生的反应热，从而可以将单锗烷气体稳定地大量生产。根据本发明，可轻易控制锗烷气体大量产生时的反应温度以及压力的急剧上升。因此，有利于大规模且高产率地生产单锗烷气体。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 制备 装置 利用 单锗烷 方法 | ||
【主权项】：
一种单锗烷气体制备方法，其特征在于，包括如下步骤：分别向第一通道和第二通道中注入包含二氧化锗与碱金属氢化物的反应原料碱性水溶液和酸性水溶液；在连接于该第一通道和第二通道的一端的第三通道中，混合注入的反应原料碱性水溶液与酸性水溶液，并使其反应以产生单锗烷气体和反应溶液：以及将产生的单锗烷气体和反应溶液排放至该第三通道的外部，其中，该第三通道中所产生的反应热被相邻于该第三通道而布置的制冷剂循环单元中循环的制冷剂所吸收。
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