[发明专利]用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法有效
| 申请号： | 201380043773.1 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104641224B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | L·隆贝;J-F·耶莫莱斯;A·德拉马雷 | 申请（专利权）人： | 国家科学研究中心;法国电力公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本文描述了一种用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法。根据一个实施例，所述方法包括：对材料进行激励，以使材料发出发光信号；在材料的一预设空间区域中一网格的每个点处，在宽度大于或等于材料的带隙宽度的频带中，以一可变偏振角来检测发光信号；在材料的预设空间区域中所述网格的每个点处，从对网格的所述点检测的信号中，估算出随偏振角而变的、由正弦波之和建模的发光信号的差变的特征数据；并且表示出预设空间区域中网格的所有点上的特征数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分析 多晶 半导体材料 晶体结构 方法 | ||
【主权项】：
1.用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法，包括：对材料进行激励，以使所述材料发出发光信号；在所述材料的一预设空间区域中一网格的每个点处，在宽度大于或等于所述材料的带隙宽度的频带中，以一可变偏振角来检测所述发光信号；在所述材料的所述预设空间区域中所述网格的每个点处，从对所述网格的所述点检测的信号中，估算出随所述偏振角而变的、由正弦波之和建模的所述发光信号的差变的特征数据；在所述预设空间区域中所述网格的所有点上生成所述特征数据的表示；以及根据所述特征数据的表示分离出所述材料的至少一种结构属性。
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