[发明专利]光子计数半导体探测器有效

专利信息
申请号: 201380044197.2 申请日: 2013-08-12
公开(公告)号: CN104620387B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: K·J·恩格尔;C·赫尔曼 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01T1/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种辐射探测器(10),包括:半导体元件(1),其用于生成正空穴和电子;阴极(2),其被形成在所述半导体元件(1)的第一表面上;以及,多个分段式阳极(3),其被形成在所述半导体元件(1)的第二表面上,所述第二表面与所述第一表面相对。此外,多个分段式转向电极(5a)被定位为毗邻所述多个分段式阳极(3)。此外,多个掺杂原子被定位在所述多个分段式阳极(3)的至少部分之上,以降低所述多个分段式阳极(3)与所述多个分段式转向电极(5a)之间的电压差。
搜索关键词: 光子 计数 半导体 探测器
【主权项】:
1.一种探测装置(10),包括:集电极对(2、3),所述集电极对彼此相对;半导体(1),其被放置在所述集电极对之间;转向电极(5a),其被定位为毗邻所述集电极对中的一个;以及所述半导体的掺杂区域,其具有空间调制的掺杂分布,并且被定位于所述转向电极(5a)的至少部分之上并且在所述半导体(1)之内。
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