[发明专利]抑制非硅器件工程的缺陷的方法有效
| 申请号： | 201380045108.6 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104603947B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | N·戈埃尔;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;R·S·周;W·拉赫马迪;M·V·梅茨;V·H·勒;J·T·卡瓦列罗斯;M·拉多萨夫列维奇;B·舒-金;G·杜威;S·H·宋 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种设备包括含有具有第一晶格结构的沟道材料的器件，所述沟道材料位于由阱材料构成的阱上，所述阱材料具有匹配晶格结构，所述阱处于具有第二晶格结构的缓冲材料内，所述第二晶格结构不同于所述第一晶格结构。一种方法包括在缓冲材料内形成沟槽；在所述沟槽内形成n型阱材料，所述n型阱材料具有不同于所述缓冲材料的晶格结构的晶格结构；以及形成n型晶体管。一种系统包括具有处理器的计算机，所述处理器包括互补金属氧化物半导体电路，所述电路包括具有沟道材料的n型晶体管，所述沟道材料具有第一晶格结构，并且处于设置在缓冲材料内的阱上，所述缓冲材料具有不同于第一晶格结构的第二晶格结构，所述n型晶体管耦合至p型晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格结构 缓冲材料 沟道材料 处理器 互补金属氧化物半导体电路 耦合 非硅 匹配 电路 计算机 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：半导体器件，其包括具有第一晶格结构的沟道材料，所述沟道材料位于由具有匹配的晶格结构的阱材料构成的阱上，所述阱被设置在具有不同于所述第一晶格结构的第二晶格结构的缓冲材料内，其中，所述阱包括高度比宽度的纵横比以及高度比长度的纵横比，所述纵横比均大于1.5。
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