[发明专利]用于多孔电化学电容器的毫微级加工结构有效
| 申请号： | 201380045135.3 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104584159B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | D.S.贾纳;C.W.霍尔斯瓦特;金薇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例描述能量存储设备、多孔电极和形成方法。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含成锐角延伸到导电结构中的多个主通道的多孔结构。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含V槽凹进阵列或棱锥形凹进阵列的多孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多孔 电化学 电容器 毫微级 加工 结构 | ||
【主权项】：
1.一种能量存储设备，包括：在导电结构内包含多个主通道的多孔结构；其中所述主通道的每一个具有至所述多孔结构的主表面的开口，以及所述主通道的每一个对所述主表面成锐角地延伸到所述导电结构中，其中所述主通道的每一个包括交替的储蓄器区域和连接区域，其中储蓄器区域比连接区域宽，并且储蓄器区域和连接区域构成沙漏形状；以及侧通道，所述侧通道从所述主通道的每一个的侧表面延伸到所述导电结构中。
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