[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201380045538.8 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104603961A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 门胁嘉孝;丰田达宪 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，其中正向电压降低同时改善了发光输出。本发明的第III族氮化物半导体发光器件(100)按以下顺序具有p侧电极(116)、p型第III族氮化物半导体层(112)、发光层(110)、n型第III族氮化物半导体层(108)和包括未掺杂的第III族氮化物半导体层的缓冲层(106)。所述缓冲层(106)设置有露出部(126)。n侧电极(122)连续地设置在从所述露出部(126)露出的所述n型第III族氮化物半导体层(108)和所述缓冲层(106)上。所述n侧电极(122)具有与所述n型第III族氮化物半导体层(108)接触的多个接触部(122c)，并且所述接触部在所述缓冲层(106)上相互电连接。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体发光器件，其包括：第一电极；连接至所述第一电极的第一导电型第III族氮化物半导体层；设置在所述第一导电型第III族氮化物半导体层上的发光层；设置在所述发光层上的第二导电型第III族氮化物半导体层；设置在所述第二导电型第III族氮化物半导体层上的包括未掺杂的第III族氮化物半导体层的缓冲层；和包括多个独立的接触部并且电连接所述接触部的第二电极，所述接触部与通过除去所述缓冲层的一部分而露出的所述第二导电型第III族氮化物半导体层接触，所述第二电极的一部分设置在所述缓冲层上。
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