[发明专利]电荷传输半导体材料和半导体器件

摘要

本发明涉及电荷传输半导体材料，其包含：a)任选地至少一种电掺杂剂，和b)至少一种包含1,2,3‑三唑交联单元的交联的电荷传输聚合物，涉及其制备方法，和涉及包含所述电荷传输半导体材料的半导体器件。

主权项

1.一种电荷传输半导体材料，其包含：a)任选地至少一种电掺杂剂，和b)交联的电荷传输聚合物，其包含通式Ia和/或Ib的1,2,3‑三唑交联单元，其中aa)Pol1‑Pol4是独立选择的由于沿着聚合物的重叠轨道体系而能够传输注入的电荷的电荷传输聚合物，bb)X1、X2、X3和X4是独立选择的间隔基单元或表示所述Pol基团与所述1,2,3‑三唑环的直接键合，cc)R和R'独立地选自H，卤素，腈，C1‑C22饱和或不饱和的烷基，C3‑C22环烷基，C6‑C18芳基，C7‑C22芳基烷基，具有至多三个独立地选自氧、氮和硫的杂原子的C2‑C13杂芳基，SiR1R2R3，其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C4烷基或苯基，COR4或COOR5，其中R4和R5独立地选自C1‑C22烷基或C7‑C22芳基烷基，CR6R7OR8，其中R6和R7独立地选自H、C1‑C6烷基、C6‑C9芳基，或者R6和R7一起形成C3‑C7环，并且R8是C1‑C6烷基、C7‑C22芳基烷基，SiR9R10R11，其中R9、R10和R11独立地选自C1‑C4烷基或苯基，或COR12，其中R12是H或C1‑C21烷基，其中R和R'可选自的基团可任选地被烷基、环烷基、芳基、杂芳基或芳基烷基取代，其中在cc)下所述的C原子数目包括取代基的C原子的数目，并且在R和R'选自烷基、环烷基、芳基、杂芳基或芳基烷基的情况下，所述基团可任选地部分或完全被卤素原子取代，所述电荷传输半导体材料可通过如下方法获得，所述方法包括：i)提供溶液，其含有aaa)第一前体电荷传输聚合物，其包含至少一个共价连接的叠氮基团和任选地至少一个炔基；和/或第二前体电荷传输聚合物，其包含至少一个共价连接的炔基和任选地至少一个叠氮基团；和任选地至少一种交联剂，其包含至少两个选自叠氮和/或炔基的官能团，bbb)任选地至少一种电掺杂剂，ccc)至少一种溶剂，ii)将所述溶液沉积在基底上，iii)除去所述溶剂，和iv)使所述叠氮与炔基反应以实现交联，其中在所述第一前体电荷传输聚合物、所述第二前体电荷传输聚合物和所述交联剂中的每种中，每分子的叠氮和/或炔基的平均数大于2。