[发明专利]气相生长装置的污染量测定方法及外延晶片的制造方法

摘要

进行气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻来对气相成长装置的腔室内进行清洁(S1)。继而，实施热处理步骤，在氢气气氛下对既定片数的硅晶片逐片依次进行热处理步骤(S2、S3)。以既定次数重复实施这些气相蚀刻步骤及热处理步骤。即，当未到达既定次数时(S4否)，再次实施气相蚀刻步骤及热处理步骤(S1、S2)。在热处理步骤中，使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的顺序不变。在气相蚀刻步骤及热处理步骤已实施既定次数之后(S4是)，将各晶片表面的污染回收，利用ICP—MS测定Mo浓度(S5)。根据各Mo浓度的值或Mo浓度间的关系，来评价气相成长装置的清洁度(S6)。从而提供一种能高精度地测定气相成长装置的污染量的方法。

主权项

一种气相生长装置的污染量的测定方法，其特征在于包含如下步骤：气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻而对气相生长装置的腔室内进行清洁；热处理步骤，在经上述气相蚀刻后的上述腔室内在非氧化性气氛下对既定片数的晶片逐片地依次进行热处理；及测定步骤，测定在上述热处理步骤中经热处理后各晶片表面上的金属杂质的浓度，作为上述气相生长装置的污染量；以既定的次数重复实施上述气相蚀刻步骤及上述热处理步骤，在上述热处理步骤中使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的晶片的顺序不变，当上述气相蚀刻步骤及上述热处理步骤已实施上述既定的次数之后实施上述测定步骤。