[发明专利]反熔丝器件有效
申请号: | 201380047302.8 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN104620383B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | Y·朴;Z·王;J·J·朱;C·F·耶普 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L23/525;H01L27/06;G11C17/16;H01L27/112 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 电可编程栅极氧化物反熔丝器件包括具有反熔丝链接的反熔丝孔,该反熔丝链接包括之间有电介质层的诸金属和/或半导体电极。电介质层可以是层间电介质(ILD)、金属间电介质(IMD)或蚀刻停止层。反熔丝器件可以包括半导体基板,该半导体基板具有设置在该基板表面上的导电栅极(例如,高K金属栅极),以及设置在该导电栅极上的电介质层。堆叠触点被设置在电介质层上,并且栅极触点被设置在栅极的暴露部分上。 | ||
搜索关键词: | 反熔丝 器件 | ||
【主权项】:
一种栅极氧化物反熔丝器件,包括:半导体基板;在所述基板的表面上的栅极;在所述栅极上的电介质层;在所述电介质层的与所述栅极相对的表面上的堆叠触点,所述电介质层在所述堆叠触点和所述栅极之间;以及在所述栅极上的栅极触点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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