[发明专利]反熔丝器件有效

专利信息
申请号: 201380047302.8 申请日: 2013-09-13
公开(公告)号: CN104620383B 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: Y·朴;Z·王;J·J·朱;C·F·耶普 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;H01L23/525;H01L27/06;G11C17/16;H01L27/112
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 电可编程栅极氧化物反熔丝器件包括具有反熔丝链接的反熔丝孔,该反熔丝链接包括之间有电介质层的诸金属和/或半导体电极。电介质层可以是层间电介质(ILD)、金属间电介质(IMD)或蚀刻停止层。反熔丝器件可以包括半导体基板,该半导体基板具有设置在该基板表面上的导电栅极(例如,高K金属栅极),以及设置在该导电栅极上的电介质层。堆叠触点被设置在电介质层上,并且栅极触点被设置在栅极的暴露部分上。
搜索关键词: 反熔丝 器件
【主权项】:
一种栅极氧化物反熔丝器件,包括:半导体基板;在所述基板的表面上的栅极;在所述栅极上的电介质层;在所述电介质层的与所述栅极相对的表面上的堆叠触点,所述电介质层在所述堆叠触点和所述栅极之间;以及在所述栅极上的栅极触点。
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