[发明专利]处理液供给装置及方法、处理液及基板处理装置及方法有效
| 申请号： | 201380047457.1 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104662644B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 宫城雅宏;荒木浩之;铃木政典;佐藤朋且;川濑信雄 | 申请（专利权）人： | 斯克林集团公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/02;G21K5/00;G21K5/02;G21K5/10;H05F1/00;H05F3/06;B01J4/00;B05C11/08;B05C11/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金相允;向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的处理液供给装置(100)用于从喷出口(53)喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物(W)，包括：第一管(51)，能够使处理液在内部流动，该第一管的内部与所述喷出口(53)相连通；X射线照射单元(62)，用于向在所述第一管(51)内存在的处理液照射X射线。所述第一管(51)的管壁上具有开口(52)，所述开口(52)被窗构件(71)堵塞，所述窗构件(71)由能够使X射线透过的材料形成，所述X射线照射单元(62)，经由所述窗构件(71)向在所述第一管(51)内存在的处理液照射X射线。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 供给 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理液供给装置，用于从喷出口喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物，其特征在于，包括：第一管，能够使处理液在内部流动，该第一管的内部与所述喷出口相连通；X射线照射单元，用于向在所述第一管内存在的处理液照射X射线；在所述第一管的管壁上具有开口，所述开口被窗构件堵塞，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成，所述X射线照射单元，经由所述窗构件向在所述第一管内存在的处理液照射X射线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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