[发明专利]掺杂铋的半绝缘第III族氮化物晶片和其制造方法有效
| 申请号： | 201380048113.2 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104781456B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 桥本忠朗;艾德华·里特斯;锡拉·霍夫 | 申请（专利权）人： | 希波特公司;首尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B7/10;C30B28/04;C30B9/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种掺杂铋(Bi)的半绝缘晶片GaxAlyIn1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤x+y≤1)。所述半绝缘晶片具有104ohm‑cm或更大的电阻率。虽然很难获得第III族氮化物的单晶锭，但氨热法可生长位错/晶界密度小于105cm‑2的第III族氮化物的高定向多晶或单晶锭。本发明还揭示制造所述半绝缘第III族氮化物块晶和晶片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 绝缘 iii 氮化物 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包含GaxAlyIn1‑x‑yN的半绝缘晶片，其具有大于10mm2的表面积和大于200微米的厚度，其中所述GaxAlyIn1‑x‑yN掺杂有足够量的铋以使所述晶片半绝缘，且其中所述晶片的电阻率大于104ohm‑cm，其中0≤x≤1且0≤x+y≤1。
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