[发明专利]脉冲宽度控制器有效
申请号: | 201380048129.3 | 申请日: | 2013-09-18 |
公开(公告)号: | CN104641458B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 西奥多·P·莫菲特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文揭示一种用于热处理系统的脉冲宽度控制器。脉冲电磁辐射被引导穿过转动式波片至偏振分束器,所述偏振分束器根据所述波片的相角而反射及透射。通过所述偏振分束器透射的辐射被引导至光路,所述光路经渡越时间后使所述辐射返回所述偏振分束器。第二转动式波片定位于所述光路中。所述偏振分束器根据所述第二转动式波片的相角反射及透射返回的辐射。第二脉冲宽度控制器可嵌套于所述光路中,且所述光路可嵌套任何数量的脉冲宽度控制器。 | ||
搜索关键词: | 偏振分束器 脉冲宽度控制器 波片 光路 转动式 透射 嵌套 相角 反射 辐射 脉冲电磁辐射 热处理系统 返回 穿过 | ||
【主权项】:
1.一种光学装置,包括:第一转动式波片,所述第一转动式波片具有光轴;偏振分束器,所述偏振分束器具有反射轴和透射轴,其中所述透射轴大致平行于所述第一转动式波片的所述光轴;第一反射器,所述第一反射器沿着所述透射轴定位以使第一偏转电磁辐射沿着第一偏转轴传播;及第二反射器,所述第二反射器被定位以接收来自所述第一反射器的电磁辐射,且所述第二反射器使返回电磁辐射沿着所述反射轴传播至所述偏振分束器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造