[发明专利]自由基成分的氧化物蚀刻

摘要

描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法，且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域，在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的SiconiTM工艺为高温时，从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基板表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。

主权项

一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻图案化基板的方法，其中所述图案化基板具有暴露的氧化硅区域，所述方法包含：使含氟前体流进远端等离子体区域，同时在所述远端等离子体区域中形成远端等离子体以产生等离子体流出物，所述远端等离子体区域流通式耦接至所述基板处理区域；使含氮和氢前体流进所述基板处理区域中，而不先使所述含氮和氢前体通过所述远端等离子体区域；以及在所述基板处理区域中，以这些等离子体流出物及所述含氮和氢前体的组合蚀刻所述暴露的氧化硅区域。