[发明专利]光电子半导体芯片和用于其制造的方法

摘要

提出一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有半导体本体(2)和载体(5)，在所述载体上设置有半导体本体，其中半导体本体具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设为用于产生或接收辐射的有源区域(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)；有源区域设置在第一半导体层和第二半导体层之间；第一半导体层设置在有源区域的背离载体的一侧上；在半导体本体中构成有沟槽结构(25)，所述沟槽结构穿过第二半导体层和有源区域延伸进入到第一半导体层中；在载体和半导体本体之间构成具有多个接触接片(31)的电接触结构(3)；并且接触接片在沟槽结构中与第一半导体层导电连接。此外，提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。

主权项

一种光电子半导体芯片(1)，其具有半导体本体(2)和载体(5)，在所述载体上设置有所述半导体本体，其中‑所述半导体本体具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设为用于产生或接收辐射的有源区域(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)；‑所述有源区域设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；‑所述第一半导体层设置在所述有源区域的背离所述载体的一侧上；‑在所述半导体本体中构成有沟槽结构(25)，所述沟槽结构穿过所述第二半导体层和所述有源区域延伸进入到所述第一半导体层中；‑在所述载体和所述半导体本体之间构成具有多个接触接片(31)的电接触结构(3)；‑所述电接触结构具有接触区域(32)，所述接触区域沿横向方向设置在所述半导体本体旁边；‑所述接触接片在所述沟槽结构中伸展并且与所述第一半导体层导电连接；‑所述接触接片中的至少一个从所述接触区域开始伸展；‑接合层(4)邻接于所述第二半导体层，其中所述接合层连续地构成，并且所述电接触结构和所述接合层在所述半导体芯片的俯视图中彼此无重叠地设置。