[发明专利]离子源及清洗离子源的方法

摘要

本发明揭示一种离子源及一种清洗离子源的方法。此离子源包括离子源腔室、抑制电极以及接地电极。在处理模式中，离子源腔室可被施加以第一正电压，而抑制电极被施加以负电压，以便透过孔从离子源腔室内吸引正离子，且使之朝向工件。在清洗模式中，离子源腔室可接地，而抑制电极被具有高电流能力的电源供应器施加以偏压。施加在抑制电极上的电压在抑制电极与离子源腔室之间以及抑制电极与接地电极之间产生等离子体。本发明能够改善离子源的效能及延长其寿命。

主权项

一种离子源，包括：离子源腔室，其用以在处理模式过程中产生等离子体，所述离子源腔室的一个表面上具有萃取孔；抑制电极，其内部具有抑制电极孔，所述抑制电极紧邻所述萃取孔而配置；接地电极，其内部具有接地电极孔，所述接地电极紧邻所述抑制电极而配置；萃取电源供应器，与所述离子源腔室相通，其经配置以便在所述处理模式过程中提供第一萃取电压和第一萃取电流，且在清洗模式过程中提供第二萃取电压和第二萃取电流；以及抑制电源供应器，与所述抑制电极相通，其经配置以便在所述处理模式过程中提供第一抑制电压和第一抑制电流，且在所述清洗模式过程中提供第二抑制电压和第二抑制电流，其中，所述第二萃取电压与所述第二抑制电压之间的差足以在所述萃取孔与所述接地电极之间所界定的体积内产生等离子体，且施加磁场以将所述等离子体限制在所述萃取孔与所述接地电极之间所界定的所述体积内。