[发明专利]改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法有效
| 申请号： | 201380049625.0 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104684968B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 宋炫知;朴银秀;林相学;郭泽秀;金古恩;金美英;金补宣;金奉焕;罗隆熙;裵镇希;徐珍雨;尹熙灿;李汉松;田钟大;韩权愚;洪承希;黄丙奎 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/38 | 分类号： | C08G77/38;C08G77/26;C08L83/08;H01B3/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,臧建明 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化 聚硅氧氮烷 含有 用于 形成 氧化 为主 绝缘 组合 制备 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种改质氢化聚硅氧氮烷，其由以下方法制备：将氢化聚硅氧氮烷和硅烷化合物反应，其中所述硅烷化合物具有如下由化学式4所表示结构：[化学式4]其中，在上述化学式4，R1和R2是各自独立地选自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，R3和R4是各自独立地选自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，或彼此融合，以提供一个环，并且a是1到30的整数，其中，所述改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子和硅原子的原子数比小于或等于0.95。
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