[发明专利]PECVD设备与工艺

摘要

兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

主权项

一种用于处理基板的设备，该设备包含：腔室，该腔室包含侧壁和地板；盖子，该盖子耦接至该腔室的该侧壁，该侧壁、该地板和该盖子定义该腔室的内部容积，该盖子包含：气体分配器，该气体分配器具有数个贯穿的气流开口；及量测装置，该量测装置引导光通过该等气流开口中的一个气流开口，并记录反射通过该气流开口的光；以及基板支撑件，该基板支撑件设在该腔室的该内部容积内。