[发明专利]高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法有效
| 申请号： | 201380050772.X | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104684867A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 伊藤和弘;渡边晓;渡边俊成;宫川直通 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/44 | 分类号： | C04B35/44;C01F7/00;C01F7/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨;金明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电性钙铝石化合物的制造方法，包括(a)准备被处理体的工序，上述被处理体含有钙铝石化合物或钙铝石化合物前体，和(b)在含有铝化合物以及一氧化碳(CO)气体的还原性气氛中、在1080℃～1450℃的范围内对上述被处理体进行热处理的工序，上述铝化合物为在上述被处理体的热处理中放出氧化铝气体的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 电子密度 导电性 石化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括(a)准备被处理体的工序，所述被处理体含有钙铝石化合物或钙铝石化合物前体，和(b)在含有铝化合物以及一氧化碳(CO)气体的还原性气氛中、在1080℃～1450℃的范围内对所述被处理体进行热处理的工序，所述铝化合物为在所述被处理体的热处理中放出氧化铝气体的化合物。
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