[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201380050803.1 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104685616A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 野津浩史 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够改善其可靠性的半导体器件及制造该半导体器件的方法。根据一个实施例的半导体器件(10)包括半导体元件(12)、基板(20)、壳(40)以及密封剂注入路径(50)。半导体元件(12)安装至基板(20)。壳(40)容纳基板(20)并允许密封剂注入其中，用于将半导体元件(12)密封于内部。密封剂注入路径(50)形成在壳(40)中并且用于将密封剂注入壳(40)中。在密封剂注入路径(50)中，用于密封剂的壳(40)中的注入端口位于壳(40)内的密封剂的注入区(44)的基板(20)侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体元件；用于安装所述半导体元件的基板；用于容纳安装有所述半导体元件的所述基板的壳，所述壳允许密封剂注入到其中，用于密封所述半导体元件；以及形成在所述壳中的用于将所述密封剂注入到所述壳中的密封剂注入路径；其中，在所述密封剂注入路径中，用于将所述密封剂注入到所述壳中的注入端口位于所述壳内的所述密封剂的注入区的基板侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
