[发明专利]自偏置电流参考在审

专利信息
申请号: 201380050999.4 申请日: 2013-09-18
公开(公告)号: CN104704571A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 戴维·弗朗西斯·米图斯 申请(专利权)人: 密克罗奇普技术公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24;G11C16/28;G11C7/06;G11C7/14;G11C13/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 可在执行读取之前的位线预充电时间期间使用在存储器单元未被断言的情况下显现在位线上的电流以便对连接于所述位线与处于VDD电位的电力供应器之间的栅极-漏极短接式PMOS上拉装置进行偏置。一旦所述预充电时间完成,便可在漏极被切断连接时使用连接到此PMOS上拉装置的栅极的电容来“存储”所得栅极-源极电压。一旦读取操作开始,便再使用具有所述“所存储”的所得栅极-源极电压的所述PMOS上拉装置的电流作为参考以在连接到所述位线的经断言存储器单元的读取操作期间感测所述经断言存储器单元的状态。
搜索关键词: 偏置 电流 参考
【主权项】:
一种用于确定具有浮动栅极的存储器单元的电荷状态的方法,所述方法包括以下步骤:当耦合到位线的所有存储器单元均被解除断言时,感测所述位线中的第一电流;将所述第一电流转换为电压;存储所述电压;基于所述所存储电压而提供参考电流;当连接到所述位线的单个存储器单元在其读取操作期间被断言时,将所述参考电流与所述位线中的第二电流进行比较;以及根据所述参考电流与所述第二电流的所述比较来确定存储于所述单个存储器单元中的位值电荷状态。
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