[发明专利]半导体装置和显示装置有效
申请号: | 201380051280.2 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN104704546B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 中田幸伸;前田昌纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 阵列基板(11b)包括第1二极管(29),该第1二极管(29)至少具有第1半导体部(29d),该第1半导体部(29d)具有在俯视时与第1电极部(29a、29b)的外缘部(29a1、29b1)交叉的外缘部(29d1);由第1金属膜(34)形成的共用配线(25);由第2金属膜(38)形成且与共用配线(25)交叉的第1短路配线部(31);和静电保护部(51),该静电保护部(51)至少具有静电引导部(52),该静电引导部(52)由第2金属膜(38)或保护膜(37)形成,在俯视时至少一部分与共用配线(25)重叠,且配置在与共用配线(25)和第1短路配线部(31)的交叉部位(CPT)相比相对靠近第1二极管(29)的位置,并且用于引导静电。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 显示装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:基板;形成在所述基板上的第1金属膜;至少形成在所述第1金属膜上的绝缘膜;形成在所述绝缘膜上的半导体膜;至少形成在所述半导体膜上保护所述半导体膜的保护膜;形成在所述保护膜上的第2金属膜;半导体功能部,该半导体功能部至少具有:由所述第2金属膜形成的2个电极部、由所述保护膜形成且具有在与2个所述电极部重叠的位置分别贯通形成的2个半导体功能部侧开口部的保护部、和由所述半导体膜形成且通过2个所述半导体功能部侧开口部与2个所述电极部分别连接并且具有在俯视时与所述电极部的外缘部交叉的外缘部的半导体部;静电释放配线部,该静电释放配线部由所述第1金属膜形成,配置于在俯视时与所述半导体功能部相邻的位置,沿所述基板的板面且沿与2个所述电极部的排列方向交叉的方向延伸,并且能够使静电释放;半导体功能部连接配线部,该半导体功能部连接配线部由所述第2金属膜形成,与2个所述电极部中的一个连接,并且沿所述基板的板面且沿2个所述电极部的排列方向延伸从而与所述静电释放配线部交叉;和静电保护部,该静电保护部至少具有静电引导部,该静电引导部由所述第2金属膜或所述半导体膜形成,在俯视时至少一部分与所述静电释放配线部重叠,且配置在与所述静电释放配线部和所述半导体功能部连接配线部的交叉部位相比相对靠近所述半导体功能部的位置,并且用于引导静电。
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