[发明专利]高介电性膜在审
| 申请号： | 201380051473.8 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104704046A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 立道麻有子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;仲村尚子;茂内普巳子;硲武史;木下雅量;高明天 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08J5/18;C08K3/20;G02B3/14;G02B26/00;G02B26/02;G02F1/19;H01G4/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;张志楠 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供具有高相对介电常数和低介质损耗角正切的膜。本发明的高介电性膜的特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成，β型结晶结构为50％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电性膜 | ||
【主权项】：
一种高介电性膜，其特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成，β型结晶结构为50％以上。
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