[发明专利]半导体传感器器件和制造半导体传感器器件的方法有效
| 申请号： | 201380051564.1 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104704628B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 弗兰兹·施兰克;马丁·施雷姆斯 | 申请（专利权）人： | ams股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;B81C1/00;G01N27/12;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 李少丹,许伟群 |
| 地址： | 奥地利翁特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体材料的衬底(1)，其具有前侧(4)和相对的后侧(7)；位于所述前侧(4)的布线层(5)；位于所述后侧(7)的另外布线层(8)；以及连接所述布线层(5)和所述另外布线层(8)的衬底通孔(3)。热板(24)布置在所述衬底上或所述衬底中，传感器层(21)布置在所述热板附近。在所述衬底(1)之上将模制复合物(14)布置在后侧(7)上，在所述模制复合物(14)中形成空腔(17)以容纳所述传感器层(21)，并且用膜片(15)覆盖所述空腔(17)。将所述模制复合物(14)敷涂到晶片上，以及可以使用膜辅助模制工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传感器 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体传感器器件，包括：半导体材料的衬底(1)，其具有前侧(4)和相对的后侧(7)；位于所述前侧(4)的布线层(5)；位于所述后侧(7)的另外布线层(8)；连接所述布线层(5)和所述另外布线层(8)的衬底通孔(3)；传感器层(21)，其布置在所述后侧(7)并且与所述另外布线层(8)电连接；以及布置在所述后侧(7)上的模制复合物(14)，所述模制复合物(14)用膜片(15)覆盖，所述模制复合物(14)和所述膜片(15)形成了容纳所述传感器层(21)的空腔(17)；其特征在于：所述传感器层是被提供用于气体传感器的，在所述传感器层(21)附近将热板(24)布置在所述衬底(1)上或所述衬底(1)中,其中，所述热板(24)是所述另外布线层(8)的一部分,其中，凹槽(22)形成在所述衬底(1)中，其中，热板(24)布置在所述凹槽(22)和所述传感器层(21)之间，以及其中，所述膜片(15)对液体是不可渗透的，而对气体是可渗透的。
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