[发明专利]用于D类功率放大器的静电放电保护在审
申请号: | 201380051781.0 | 申请日: | 2013-10-04 |
公开(公告)号: | CN104704633A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | A·斯里瓦斯塔瓦;E·R·沃莱 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了用于D类功率放大器的静电放电保护。在一示例性实施例中,一种装置包括具有耦合到接口焊盘的输出晶体管的放大器、跨该放大器的第一和第二电源耦合并且配置成在ESD事件期间提供跨该第一和第二电源的钳位电压的骤回电源钳位电路、以及耦合到该输出晶体管的触发电路,该触发电路配置成检测该钳位电压,并且在检测到该钳位电压时启用该输出晶体管以提供从该接口焊盘到该第二电源的放电路径。 | ||
搜索关键词: | 用于 功率放大器 静电 放电 保护 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:放大器,其具有耦合到接口焊盘的输出晶体管;骤回电源钳位电路,所述骤回电源钳位电路跨所述放大器的第一和第二电源地耦合并且被配置成在静电放电(ESD)事件期间提供跨所述第一和第二电源的钳位电压;以及触发电路,其耦合到所述输出晶体管,所述触发电路被配置成检测所述钳位电压并且在检测到所述钳位电压时启用所述输出晶体管以提供从所述接口焊盘到所述第二电源的放电路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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