[发明专利]并有电插入于含磷族元素化物的吸收体层与发射极层之间的薄硫族元素化物膜的光伏打装置无效

专利信息
申请号: 201380052315.4 申请日: 2013-10-07
公开(公告)号: CN105229797A 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: J·P·博斯科;H·A·阿特沃特;G·M·金伯尔;R·K·费斯特;M·W·格鲁特;J·C·史蒂文斯 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司;加州理工学院
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/062;H01L31/07;H01L31/072;H01L31/108;H01L31/109
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吴亦华;徐一琨
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供用于改善绝缘体层与至少一个含磷族元素化物的膜界面连接的MIS及SIS装置中的所述绝缘层的质量的策略。本发明的原理至少部分基于以下发现:包括例如i-ZnS的硫族元素化物的非常薄(20nm或以下)的绝缘膜出人意料地为在并有磷族元素化物半导体的MIS及SIS器件中的优越隧道势垒。在一方面,本发明涉及一种光伏打装置,所述光伏打装置包括:半导体区域,其包括至少一个磷族元素化物半导体;绝缘区域,其电耦合到所述半导体区域,其中绝缘区域包括至少一种硫族元素化物且具有在从0.5nm到20nm的范围中的厚度;及整流区域,其按所述绝缘区域电插入于集极区域与所述半导体区域之间的方式电耦合到所述半导体区域。
搜索关键词: 插入 含磷族 元素 吸收体 发射极 之间 薄硫族 化物膜 光伏打 装置
【主权项】:
一种光伏打装置,其包括:a)半导体区域,其包括至少一个磷族元素化物半导体;b)绝缘区域,其电耦合到所述半导体区域,其中所述绝缘区域包括至少一种硫族元素化物且具有在从0.5nm到20nm的范围中的厚度;以及c)整流区域,其按所述绝缘区域电插入于集极区域与所述半导体区域之间的方式与所述半导体区域整流电连通。
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