[发明专利]掩蔽剂和表面处理基材的制造方法在审
| 申请号： | 201380052467.4 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104704148A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 小西幸雄;金敏秀 | 申请（专利权）人： | JE国际株式会社 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C09D123/00;C23C18/16;C23F1/02;C25D11/00;C25F3/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种表面处理基材的制造方法，包括以下步骤：将含有链烷烃的掩蔽剂加热到等于或超过所述链烷烃熔点的温度来制备掩蔽液；使所述掩蔽液在基板上图案化以形成掩模图案；对其上形成有所述掩模图案的基板的表面进行处理；和使用低于所述链烷烃熔点的温度的冷却介质来去除构成所述掩模图案的掩蔽剂以制备表面处理基材。所述方法使得可以方便地去除掩蔽剂，而不会对表面处理后形成的图案产生负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 掩蔽 表面 处理 基材 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种表面处理基材的制造方法，包括：通过将含有链烷烃的掩蔽剂加热到超过所述链烷烃熔点的温度来制备掩蔽液的步骤；使所述掩蔽液在基板上图案化以形成掩模图案的步骤；对具有所述掩模图案的基板进行表面处理的步骤；和通过使用低于所述链烷烃熔点的温度的制冷剂来去除构成所述掩模图案的掩蔽剂以制备表面处理基材的步骤。
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