[发明专利]用于局部接触半导体元件的基于激光的方法和加工台

摘要

本发明涉及一种用于局部接触半导体元件的方法，所述半导体元件是光伏太阳能电池的一部分或在光伏太阳能电池制造过程中的前体的一部分，所述方法包括下面的方法步骤：A在半导体元件的一侧上施加至少一个金属层，B通过以下方式局部加热至少金属层：在局部区域中实现短时熔化至少金属层。重要的是，将金属箔用作金属层，在方法步骤B之后在方法步骤C中去除金属箔的未熔化区域。本发明还涉及一种用于实施这种方法的加工台。

主权项

一种用于局部接触半导体元件(1)的方法，所述半导体元件(1)是光伏太阳能电池的一部分或在光伏太阳能电池制造过程中的前体的一部分，所述方法包括下面的方法步骤：A在半导体元件(1)的一侧上施加至少一个金属层，B至少对金属层进行局部加热，从而至少使金属层在局部区域中短时熔化，其特征在于，将金属箔(4)用作金属层，在方法步骤B之后在方法步骤C中去除金属箔(4)的未熔化区域。