[发明专利]具有用于负电压操作的隔离式SCR的ESD保护电路

摘要

本发明揭示一种用于集成电路的半导体控制整流器。所述半导体控制整流器包括：第一经轻掺杂区(100)，其具有第一导电性类型(N)；及第一经重掺杂区(108)，其具有第二导电性类型(P)，形成于所述第一经轻掺杂区内。具有所述第二导电性类型的第二经轻掺杂区(104)是接近所述第一经轻掺杂区而形成。具有所述第一导电性类型的第二经重掺杂区(114)形成于所述第二经轻掺杂区内。具有所述第一导电性类型的掩埋层(101)形成于所述第二经轻掺杂区下方且电连接到所述第一经轻掺杂区。具有所述第二导电性类型的第三经轻掺杂区(102)形成于所述第二经轻掺杂区与所述第三经重掺杂区之间。具有所述第二导电性类型的第四经轻掺杂区(400)形成于所述第二经轻掺杂区与所述第三经重掺杂区之间且电连接到所述第二及第三经轻掺杂区。

主权项

1.一种半导体控制整流器，其包括：第一经轻掺杂区，其具有第一导电性类型；第一经重掺杂区，其具有第二导电性类型，形成于所述第一经轻掺杂区内，所述第一经重掺杂区形成所述半导体控制整流器的阳极；第二经轻掺杂区，其具有所述第二导电性类型，是在第一时间接近所述第一经轻掺杂区而形成；第二经重掺杂区，其具有所述第一导电性类型，形成于所述第二经轻掺杂区内，所述第二经重掺杂区形成所述半导体控制整流器的阴极；第四经重掺杂区，其具有所述第一导电性类型，形成于所述第一经轻掺杂区内，且电连接到所述第一经重掺杂区；第五经重掺杂区，其具有所述第二导电性类型，形成于所述第二经轻掺杂区内，且电连接到所述第二经重掺杂区；浅沟槽隔离区，位于所述第一经重掺杂区、所述第二经重掺杂区、所述第四经重掺杂区及所述第五经重掺杂区之间并分隔所述第一经重掺杂区、所述第二经重掺杂区、所述第四经重掺杂区及所述第五经重掺杂区；其中所述浅沟槽隔离区在所述第一经重掺杂区与所述第二经重掺杂区之间被省略；栅极，形成于所述第一经轻掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的结上方；掩埋层，其具有所述第一导电性类型，形成于所述第二经轻掺杂区下方且电连接到所述第一经轻掺杂区；第三经轻掺杂区，其具有所述第二导电性类型，是在第二时间形成于所述第二经轻掺杂区与所述掩埋层之间；第四经轻掺杂区，其具有所述第二导电性类型，是在第三时间形成于所述第二经轻掺杂区与所述掩埋层之间且电连接到所述第二及第三经轻掺杂区；其中所述第二经轻掺杂区与所述第三经轻掺杂区、所述第四经轻掺杂区组合形成所述半导体控制整流器的NPN晶体管的基极；其中所述第一经轻掺杂区与所述掩埋层组合形成所述半导体控制整流器的PNP晶体管的基极，而且其中所述半导体控制整流器形成在具有所述第二导电性类型的基板上，且其中所述第二经轻掺杂区通过所述第一经轻掺杂区与所述掩埋层与所述基板电隔离。