[发明专利]具有减小的栅极到源极与栅极到漏极重叠电容的金属栅极MOS晶体管在审
| 申请号： | 201380053370.5 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104718626A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 马诺耶·梅赫罗特拉;新美广明 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过沿着已被形成为位于较远离源极(220)及漏极(222)处的侧壁结构(236)的内侧形成高k栅极电介质(226)来减小具有金属栅极(230)及所述高k栅极电介质(226)的MOS晶体管(200)的栅极到源极与栅极到漏极重叠电容。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 栅极 到源极 到漏极 重叠 电容 金属 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：半导体区，其具有一导电性类型；源极，其接触所述半导体区，所述源极具有与所述半导体区的所述导电性类型相反的导电性类型；漏极，其接触所述半导体区，所述漏极位于与所述源极间隔开之处，且具有与所述半导体区的所述导电性类型相反的导电性类型；所述半导体区的沟道区，其位于所述源极与所述漏极之间；栅极电介质，其接触所述沟道区且位于所述沟道区上方；及金属栅极，其接触所述栅极电介质且位于所述栅极电介质上方，所述金属栅极具有下部宽度及大于所述下部宽度的上部宽度。
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