[发明专利]发射辐射的器件在审
| 申请号： | 201380053921.8 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104718470A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·维纳;康拉德·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/26 | 分类号： | G02B5/26;H01L33/46;H01L25/075;H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;高少蔚 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种发射辐射的器件。发射辐射的器件(100)包括：-至少一个发射辐射的半导体芯片(1)，其中每个发射辐射的半导体芯片(1)具有辐射出射面(2)，所述辐射出射面包括发射辐射的半导体芯片(1)的至少一个侧面(3)和主面(4)，-至少一个转换元件(5)，其中每个转换元件(5)具有辐射出射面(6)，所述辐射出射面包括转换元件(5)的至少一个侧面(7)和主面(8)，和-设置在至少一个转换元件(5)和至少一个发射辐射的半导体芯片(1)的下游的第一反射元件(9)，其中-所有发射辐射的半导体芯片(1)的辐射出射面(2)的总和与所有转换元件(5)的辐射出射面(6)的总和的比大于1。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 器件 | ||
【主权项】：
一种发射辐射的器件(100)，所述器件具有：‑至少一个发射辐射的半导体芯片(1)，其中每个所述发射辐射的半导体芯片(1)具有辐射出射面(2)，所述辐射出射面包括所述发射辐射的半导体芯片(1)的至少一个侧面(3)和主面(4)；‑至少一个转换元件(5)，其中每个所述转换元件(5)具有辐射出射面(6)，所述辐射出射面包括所述转换元件(5)的至少一个侧面(7)和主面(8)；和‑设置在至少一个所述转换元件(5)和至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)的下游的第一反射元件(9)，其中‑所有发射辐射的半导体芯片(1)的辐射出射面(2)的总和与所有转换元件(5)的辐射出射面(6)的总和的比大于1，‑至少一个所述转换元件(5)至少局部地邻接于至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)，‑至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)在运行时产生初级辐射(10)，‑所述转换元件(5)将所述初级辐射(10)转换为次级辐射(20)，并且‑所述初级辐射(10)和所述次级辐射(20)仅穿过所述第一反射元件(9)离开所述发射辐射的器件(100)，其中所述第一反射元件(9)反射所述初级辐射(10)的大部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司;，未经欧司朗光电半导体有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380053921.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包含硬涂膜的偏光板
- 下一篇：辐射摄影成像装置和方法
