[发明专利]CMOS架构的隧穿场效应晶体管(TFET)以及制造N型和P型TFET的方法有效
| 申请号： | 201380054199.X | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104737295B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | R·科特利尔;S·M·塞亚;G·杜威;B·舒-金;U·E·阿维奇;R·里奥斯;A·乔杜里;T·D·小林顿;I·A·扬;K·J·库恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了CMOS架构的隧穿场效应晶体管(TFET)以及制造N型和P型TEFT的方法。例如，隧穿场效应晶体管(TFET)包括同质结有源区，所述同质结有源区设置在衬底上方。所述同质结有源区包括在其中具有无掺杂的沟道区的弛豫的Ge或GeSn本体。所述同质结有源区还包括掺杂的源极区和漏极区，所述掺杂的源极区和漏极区设置在所述沟道区的任一侧上的弛豫的Ge或GeSn本体中。所述TFET还包括栅极叠置体，所述栅极叠置体设置在所述源极区与所述漏极区之间的所述沟道区上。所述栅极叠置体包括栅极电介质部分和栅极电极部分。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 架构 场效应 晶体管 tfet 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，包括：同质结有源区，所述同质结有源区设置在衬底上方，所述同质结有源区包括：在其中具有无掺杂的沟道区的弛豫的Ge或GeSn本体；以及掺杂的源极区和漏极区，所述掺杂的源极区和漏极区设置在所述沟道区的任一侧上的所述弛豫的Ge或GeSn本体中，其中所述掺杂的源极区和漏极区具有相同的导电类型；以及栅极叠置体，所述栅极叠置体设置在源极区与漏极区之间的所述沟道区上，所述栅极叠置体包括栅极电介质部分和栅极电极部分，其中，所述弛豫的Ge或GeSn本体是直接带隙本体，并且具有5纳米或小于5纳米的厚度，并且其中，所述隧穿场效应晶体管是基于鳍式场效应晶体管、三栅极或正方形纳米线的器件。
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