[发明专利]射频天线与其形成方法以及离子源有效
| 申请号： | 201380054224.4 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104737267B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 威尔汉·P·普拉托;奎格·R·钱尼 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示一种射频天线与其形成方法以及离子源。射频天线包括具有内径及外径的低阻值的金属管，也具有内径及外径的低摩擦的高分子管包围低阻值的金属管，高分子管的内径略为大于低阻值的金属管的外径。预成形石英玻璃管套住低摩擦的高分子管及低阻值的金属管。石英玻璃管以所要形状预成形。在低阻值的空心金属管的一末端内附着一导引线。将包含低阻值的空心金属管的弹性、低摩擦的高分子管接着穿入石英玻璃管。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 天线 与其 形成 方法 以及 离子源 | ||
【主权项】：
一种射频天线，包括：金属管，具有内径及外径；高分子管，具有内径及外径，所述高分子管包围低阻值的所述金属管，所述高分子管的所述内径大于低阻值的所述金属管的所述外径；以及预成形石英玻璃管，容纳低摩擦的所述高分子管及低阻值的所述金属管，其中低摩擦的所述高分子管及低阻值的所述金属管穿入所述预成形石英玻璃管而沿着所述预成形石英玻璃管内部轨迹延伸。
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