[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380054265.3 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104737296B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 田中梨菜;香川泰宏;日野史郎;三浦成久;今泉昌之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到缓和栅极绝缘膜的电场强度并且导通电阻低的碳化硅半导体装置。该碳化硅半导体装置具有n型碳化硅基板(1)；在n型碳化硅基板(1)的上表面形成了的漂移层(2)；在漂移层(2)中形成并且在内部具有栅极绝缘膜(8)与栅极电极(9)的沟槽(7)；与沟槽(7)空出间隔而平行地形成并且比沟槽(7)深的p型高浓度阱区(6)；以及从相比沟槽(7)的底部端而更向上表面侧的、沟槽(7)底部的栅极绝缘膜(8)的膜厚程度的上方位置朝向p型高浓度阱区(6)的下端缓慢变深地形成的p型体区域(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在第1导电类型的碳化硅半导体基板上通过外延生长法而形成由第1导电类型的碳化硅构成的漂移层的工序；在所述漂移层的表面形成沟槽的工序；通过离子注入，与所述沟槽空出一定间隔地形成比所述沟槽深的第2导电类型的高浓度阱区的工序；使用埋入材料埋入所述沟槽的工序；经由埋入了所述埋入材料的所述沟槽，通过斜向离子注入，形成从相比所述沟槽的底部更靠上侧的位置朝向所述第2导电类型的高浓度阱区的底部端变深的第2导电类型的体区域的工序；以及在形成了所述体区域之后，溶解所述埋入材料并去除的工序。
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